高効率と小型化のためのGaNベースの電源装置,RF部品,充電器

ガリウムナイトリド (GaN) は とても硬い 安定した 幅広く半導体材料です シリコンベースの装置と比較して,ガリウムナイトリドベースの電源装置は,より高い分解強度,より速い切り替え,より高い熱伝導性,より低い伝導抵抗によりより優れていることが判明しました. ガリウムナイトリド結晶は 石灰,シリコン,シリコンなど 様々な材料で生長します 上にGaNの表軸層を培養すると,既存の生産技術が使用され,高価な専門製造を必要とせず,安価な大きなウエフを使用することができます.

ガリウムナイトリードは画像電源装置および半導体:RF部品,高電源発光二極管など製造に使用される.現在,ガリウムナイトリッド技術が電源変換,無線周波数およびアナログアプリケーションの分野でシリコン半導体技術に取って代わるために使用できることが確立されています.

窒化ガリウムは、広義には半導体の第3世代のコア材料として知られることがあります。シリコンと比較して、窒化ガリウムはより高い電圧および帯域幅を持っており、これによりシリコンよりも多くの電流を流すことが可能です。つまり、この2つの材料の同体積において、窒化ガリウムの効率の良さは常に上回ります。もし現在使われているすべての電子機器に窒化ガリウムが置き換えられれば、電子機器全体の消費電力はさらに10～25%削減されるかもしれません。充電器のベース材料として窒化ガリウムを用いることで、高出力かつ小型化が実現できます。以前より通信業界や軍事産業の分野で窒化ガリウム材料の活用が試みられてきました。技術の発展と人々のニーズに応じて、窒化ガリウム製品は私たちの生活に登場し、充電器分野で存在感を示し始めています。 製品 窒化ガリウムの使用により、電子機器全体の消費電力がさらに10～25%削減されるかもしれません。充電器のベース材料として窒化ガリウムを用いることで、高出力かつ小型化が実現できます。以前より通信業界や軍事産業の分野で窒化ガリウム材料の活用が試みられてきました。技術の発展と人々のニーズに応じて、窒化ガリウム製品は私たちの生活に登場し、充電器分野で存在感を示し始めています。

ガリウムナイトリッドは 現在世界中で高速で電源を切り替える装置の一つで 高周波で動作する間でもより高いレベルの電源を切り替える能力があります 高い強度で変換できますが,より小さなトランスフォーマーで